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2017年半导体市场资本支出再创历史新高,同比增2成

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2017-09-04   作者:中图电子网  浏览次数: 26
[摘要]  IC Insights预测,继今年上半年半导体资本支出大幅增长后,全年半导体资本支出预期上调至809亿美元,比去年同期增长20%,且高于预期资本支出53亿美元,堪称历史最高。  图1 &

  IC Insights预测,继今年上半年半导体资本支出大幅增长后,全年半导体资本支出预期上调至809亿美元,比去年同期增长20%,且高于预期资本支出53亿美元,堪称历史最高。

  图1

  如图1所示,2017年为资本支出贡献最大的为晶圆代工厂(28%)和闪存(24%)。随着2016年第三季度以来DRAM价格的飙升,DRAM制造商将再次加大在这一领域的支出。预计到2017年,DRAM / SRAM的增长将达到53%,有望成为今年资本支出增长的最大百分比。经分析,大部分资本支出仍在升级技术方面,但DRAM生产商SK Hynix分析称,不单单投入在技术升级,更花费在产能提高上。

  即使是今年支出激增,2017年闪存(190亿美元)的资本支出仍将远远高于DRAM / SRAM(130亿美元)。IC Insights认为,2017年闪存的所有支出都将用于3D NAND工艺技术改良,包括三星电子在韩国平泽掀起的3D NAND热浪。

  总体而言,预计在2016年强劲增长23%之后,闪存的资本支出将在2017年实现33%的增长。然而,历史先例表明,资本支出的激增通常会导致产能过剩和定价疲软。在未来几年里,与三星、海力士、微软、英特尔、东芝、西部数据、SanDisk和武桂林电子科技大学汉新芯/长江存储技术有关的3D NAND闪存容量将有大幅度提升,而且新的中国生产商可能会进入市场,IC Insights认为未来随着3D NAND 闪存市场需求的增长加大,也将会面临更大风险



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